Verfahren zur Erweiterung von Gräben mittels einer Anisitropischen Nassätzung

EP1186028 Art A1 13. März 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1186028
Aktenzeichen: EP00936417
Anmeldetag: 30. Mai 2000
Veröffentlichung: 13. März 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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