Verfahren zum Strukturieren einer Metall- oder Metallsilizidschicht sowie ein mit Diesem Verfahren Hergestellter Kondensator
EP1186029
Art A2
13. März 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1186029
- Aktenzeichen
- EP00940148
- Anmeldetag
- 20. April 2000
- Veröffentlichung
- 13. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Lange, Thomas
München, Deutschland
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