Substratkontakt für eine Leitende Wanne in einer Halbleiterspeicheranordnung
EP1186046
Art A1
13. März 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1186046
- Aktenzeichen
- EP00934917
- Anmeldetag
- 20. April 2000
- Veröffentlichung
- 13. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11H01L21/8244H01L23/485H01L21/768H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
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