Source-Down-Leistungstransistor
EP1186052
Art B1
18. Juli 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1186052
- Aktenzeichen
- EP00940178
- Anmeldetag
- 10. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 18. Juli 2007
- Erteilung
- 18. Juli 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/78H01L29/08H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
104
Patente gesamt
13
Fachgebiete
4
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Schwerpunkte