Feld-Effekt-Transistor

EP1186885 Art B1 25. Oktober 2006

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, Japan Science and Technology Corporation 🇯🇵

Details

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Firmen: Japan Science and Technology Agency
Japan Science and Technology Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

Howden, Christopher A München, Deutschland

Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Medizintechnik & Gesundheit Haushalts-, Möbel- & Konsumgüter Optik & Fototechnik Verfahrens- & Trenntechnik Software & Datenverarbeitung

Weitere Vertreter