MOS-Feldeffekttransistor mit reduziertem Anschaltwiderstand

EP1187220 Art A3 10. Oktober 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1187220
Aktenzeichen
EP01121610
Anmeldetag
11. September 2001
Veröffentlichung
10. Oktober 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/417// H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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