Verfahren zur Herstellung eines Mehrkanal-Mosfets
EP1188188
Art B1
31. August 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1188188
- Aktenzeichen
- EP00951234
- Anmeldetag
- 21. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 31. August 2005
- Erteilung
- 31. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Lange, Thomas
München, Deutschland
118
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10
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2
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