Halbleitervorrichtung mit Oxidhalbleiterschicht auf ZnO-Basis und Herstellungsverfahren
EP1189290
Art A1
20. März 2002
Anmelder: DIRECTOR-GENERAL OF NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, ROHM CO., LTD., DIRECTOR-GENERAL OF NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1189290
- Aktenzeichen
- EP01121927
- Anmeldetag
- 12. September 2001
- Veröffentlichung
- 20. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01S5/327
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- DIRECTOR-GENERAL OF NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
ROHM CO., LTD.
DIRECTOR-GENERAL OF NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Fachgebiete
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
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21
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TBK
TBK · München
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TBK-Patent · München