Verfahren zur Kantenabrundung und Gleichmässigen Tiefen-Ätzungen Während der Ätzung von Flachen Grabenisolationsstrukturen
EP1190443
Art A1
27. März 2002
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1190443
- Aktenzeichen
- EP00941674
- Anmeldetag
- 23. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 27. März 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LAM RESEARCH CORPORATION
Lam Research Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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