Trench-Mos-Transistor
EP1190447
Art B1
16. September 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1190447
- Aktenzeichen
- EP00943662
- Anmeldetag
- 30. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Erteilung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/36H01L29/10H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
101
Patente gesamt
13
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kottmann, Heinz Dieter, Dipl.-Ing
NoneMünchen