MOSFET-Transistor und Verfahren zu deren Herstellung
EP1191577
Art B1
11. November 2009
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC., Texas Instruments Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1191577
- Aktenzeichen
- EP01000491
- Anmeldetag
- 20. September 2001
- Veröffentlichung
- 11. November 2009
- Erteilung
- 11. November 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
Texas Instruments Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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