Halbleiter-Speicherbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1191596
Art A3
8. Oktober 2008
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1191596
- Aktenzeichen
- EP01120769
- Anmeldetag
- 7. September 2001
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München