Oxidation einer auf einer Germaniumschicht Aufgebrachten Siliziumschicht
EP1192647
Art B1
20. Oktober 2010
Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1192647
- Aktenzeichen
- EP00944878
- Anmeldetag
- 23. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2010
- Erteilung
- 20. Oktober 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/316
Abstract
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Anmelder
- Firma
- MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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Hammond, Andrew David
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