Verfahren zur Herstellung von Silizierten Polysiliziumkontakten in Integrierten Halbleiterstrukturen
EP1192649
Art A1
3. April 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1192649
- Aktenzeichen
- EP00952877
- Anmeldetag
- 28. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 3. April 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3205H01L21/768H01L23/532H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
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