Halbleiteranordnung mit Hoher Sperrichtung-Durchbruchsspannung und Verfahren zur Herstellung

EP1192663 Art A2 3. April 2002

Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1192663
Aktenzeichen
EP01915163
Anmeldetag
26. Januar 2001
Veröffentlichung
3. April 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/06H01L29/861
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen