Silizium-Oxidationsverfahren zur Verringerung der Konzentration von Haftladungen an der Silizium-Oxid Grenzfläche
EP1193748
Art A1
3. April 2002
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC., Texas Instruments Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1193748
- Aktenzeichen
- EP01000335
- Anmeldetag
- 1. August 2001
- Veröffentlichung
- 3. April 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/28C23C16/40H01L29/423
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
Texas Instruments Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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