Halbleiter mit SOI-Struktur und seine Herstellungsmethode
EP1193760
Art B1
12. September 2007
Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1193760
- Aktenzeichen
- EP01123462
- Anmeldetag
- 28. September 2001
- Veröffentlichung
- 12. September 2007
- Erteilung
- 12. September 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L21/84H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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