Verfahren zur Erzeugung einer Maskenstruktur mit Mustern zur Kontrolle der Rundung der Musterecken

EP1194814 Art A1 10. April 2002

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1194814
Aktenzeichen: EP00942974
Anmeldetag: 19. Juni 2000
Veröffentlichung: 10. April 2002
Rechtsraum: EP
IPC: G03F1/00H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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