Verfahren zur Herstellung eines dünnen selbsttragenden Halbleitervorrichtungsfilms und einer dreidimensionalen Halbleitervorrichtung
EP1195808
Art B1
15. August 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1195808
- Aktenzeichen
- EP00121689
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 15. August 2007
- Erteilung
- 15. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L25/065H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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