Herstellungsmethode für ein Aluminium-Siliziumkarbid-Halbleitersubstrat

EP1195810 Art B1 11. Mai 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1195810
Aktenzeichen: EP01908348
Anmeldetag: 5. März 2001
Veröffentlichung: 11. Mai 2011
Erteilung: 11. Mai 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/12C22C1/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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