Pufferschicht-Struktur basierend auf dotiertem Ceroxyd für optimale Gitteranpassung einer YBCO-Schicht in einem Leiter und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1195819
Art A1
10. April 2002
Anmelder: Nexans 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1195819
- Aktenzeichen
- EP00402774
- Anmeldetag
- 9. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 10. April 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L39/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexans
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Nexans
Französischer Kabelhersteller mit Sitz in Paris, hervorgegangen aus dem Alcatel-Konzern. Fertigt Kabel und Leitungssysteme für Energieversorgung, Telekommunikation und Industrie.
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Fachgebiete
Kanzlei
Ipsilon
Bourg-la-Reine, Frankreich
Ipsilon wurde 2001 gegründet und ist durch gezielte Zukäufe zu einer führenden französischen IP-Gruppe gewachsen, mit Standorten in Frankreich, den Benelux-Ländern sowie Karlsruhe, München, Luxemburg und New York. Fokus liegt auf Kompetenz statt reiner Größe.
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