Integrierte Halbleiterschaltung mit reduziertem Leckstrom

EP1195902 Art B1 27. Oktober 2010

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1195902
Aktenzeichen
EP01122513
Anmeldetag
21. September 2001
Veröffentlichung
27. Oktober 2010
Erteilung
27. Oktober 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H03K19/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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