Verfahren zur Herstellung Zweier Unterschiedlich Dotierter Benachbarter Gebiete in einem Integrierten Halbleiter
EP1196945
Art B1
24. Juni 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1196945
- Aktenzeichen
- EP00954332
- Anmeldetag
- 13. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2009
- Erteilung
- 24. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/223H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ginzel, Christian
München, Deutschland
68
Patente gesamt
14
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte