Methode zur Herstellung eines Halbleiterkristalls

EP1197997 Art A1 17. April 2002

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1197997
Aktenzeichen: EP01915756
Anmeldetag: 23. März 2001
Veröffentlichung: 17. April 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205C23C16/42H01L21/365C23C16/32C30B29/36// C30B29:36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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