Verbesserter bipolarer Transistor

EP1198007 Art A1 17. April 2002

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1198007
Aktenzeichen
EP01000527
Anmeldetag
9. Oktober 2001
Veröffentlichung
17. April 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/36H01L29/32H01L29/732
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

3.600 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen