Plasmaätzkammer

EP1198821 Art B1 27. Februar 2008

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1198821
Aktenzeichen
EP00945097
Anmeldetag
29. Juni 2000
Veröffentlichung
27. Februar 2008
Erteilung
27. Februar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01J37/32H01L21/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
LAM RESEARCH CORPORATION
LAM Research Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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