Plasmaätzkammer
EP1198821
Art B1
27. Februar 2008
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1198821
- Aktenzeichen
- EP00945097
- Anmeldetag
- 29. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2008
- Erteilung
- 27. Februar 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J37/32H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LAM RESEARCH CORPORATION
LAM Research Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
1.734
Patente gesamt
33
Fachgebiete
31
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