Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekt-Transistor mit Vergrabenem Kanal

EP1198830 Art B1 5. November 2008

Anmelder: OMMIC, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1198830
Aktenzeichen
EP01901153
Anmeldetag
15. Januar 2001
Veröffentlichung
5. November 2008
Erteilung
5. November 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/335H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
OMMIC
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Land
🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Roger, Walter Saint-Fons, Frankreich
100
Patente gesamt
22
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Kunststoff- & Polymertechnik Verpackungs- & Fördertechnik Verfahrens- & Trenntechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Hochbau & Gebäudetechnik
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