Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekt-Transistor mit Vergrabenem Kanal
EP1198830
Art B1
5. November 2008
Anmelder: OMMIC, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1198830
- Aktenzeichen
- EP01901153
- Anmeldetag
- 15. Januar 2001
- Veröffentlichung
- 5. November 2008
- Erteilung
- 5. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- OMMIC
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.118 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Roger, Walter
Saint-Fons, Frankreich
100
Patente gesamt
22
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van Oudheusden-Perset, Laure E
NoneEindhoven
-
Charpail, François
NoneParis
-
Lottin, Claudine
NoneParis