Gate-Herstellungsprozess mit mehrschichtigem Polysilizium
EP1199742
Art A3
9. Oktober 2002
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1199742
- Aktenzeichen
- EP01000537
- Anmeldetag
- 12. Oktober 2001
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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