Zno-Verbundhalbleiter-Lichtemittierendes Element und Seine Herstellungsmethode
EP1199755
Art A1
24. April 2002
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ROHM CO., LTD., Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1199755
- Aktenzeichen
- EP00949916
- Anmeldetag
- 26. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 24. April 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/327
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
ROHM CO., LTD.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Pellmann, Hans-Bernd, Dipl.-Ing
München, Deutschland
319
Patente gesamt
32
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
TBK
TBK · München
-
TBK-Patent
TBK-Patent · München