Test von Rambusspeicherbausteinen
EP1200963
Art B1
28. Januar 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1200963
- Aktenzeichen
- EP00943352
- Anmeldetag
- 29. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2009
- Erteilung
- 28. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/00G11C29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hirsch, Peter
München, Deutschland
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