Halbleiter-Kondensator mit einer Diffusionsbarriere
EP1200991
Art B1
11. Juli 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1200991
- Aktenzeichen
- EP00950846
- Anmeldetag
- 28. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2007
- Erteilung
- 11. Juli 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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