Halbleitererzeugnis mit einem Schottky-Kontakt
EP1203410
Art B1
2. November 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1203410
- Aktenzeichen
- EP00954392
- Anmeldetag
- 2. August 2000
- Veröffentlichung
- 2. November 2011
- Erteilung
- 2. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872H01L29/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen
-
Patentanwälte Westphal, Mussgnug & Partner
Patentanwälte Westphal, Mussgnug & Partner · Villingen-Schwenningen
- (deleted)
-
Berg, Peter
NoneMünchen