Verfahren zur Bildung einer ultradünnen SiO2-Schicht durch N2O-Oxidierung
EP1204135
Art A3
23. März 2005
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1204135
- Aktenzeichen
- EP01000591
- Anmeldetag
- 2. November 2001
- Veröffentlichung
- 23. März 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/28H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
1.203
Patente gesamt
19
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte