Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Siliziumnitridschicht auf einem Halbleiterwafer
EP1204783
Art A1
15. Mai 2002
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1204783
- Aktenzeichen
- EP00957994
- Anmeldetag
- 10. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/34C23C16/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bayliss, Geoffrey Cyril
London, Großbritannien
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