Verfahren zur Verbesserung der Gleichförmigkeit und zur Verminderung der Rauhigkeit einer Silizium-Oberfläche vor der Bildung einer dielektrischen Schicht
EP1205966
Art A3
29. März 2006
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1205966
- Aktenzeichen
- EP01000615
- Anmeldetag
- 9. November 2001
- Veröffentlichung
- 29. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/316H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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