Halbleiteranordnung mit einer hochdotierten untiefen Zone und Verfahren zur Herstellung
EP1207562
Art A3
26. Mai 2004
Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1207562
- Aktenzeichen
- EP01126590
- Anmeldetag
- 16. November 2001
- Veröffentlichung
- 26. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/732H01L21/331H01L29/36H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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Fachgebiete
Kanzlei
Splanemann Patentanwälte
München, Deutschland
1873 in Berlin gegründet und damit eine der ältesten Patentanwaltskanzleien Deutschlands, heute in München ansässig. Berät Großkonzerne, mittelständische Unternehmen und Körperschaften öffentlichen Rechts in Elektrotechnik, Informatik, Elektronik und Chemie.
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