Verfahren zur Behandlung von Mikroelektroniksubstraten
EP1208589
Art B1
22. Dezember 2010
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1208589
- Aktenzeichen
- EP00958696
- Anmeldetag
- 17. August 2000
- Veröffentlichung
- 22. Dezember 2010
- Erteilung
- 22. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/324H01L21/306H01L21/762H01L21/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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Vertreten von
Texier, Christian
Paris, Frankreich
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