Hochtemperaturelektrode und Barrierestruktur für FRAM und DRAM Anwendungen
EP1209730
Art A3
19. Mai 2004
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1209730
- Aktenzeichen
- EP01309533
- Anmeldetag
- 12. November 2001
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/3205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
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