Verfahren zum Herstellen eines Hochvolttauglichen Randabschlusses bei einem nach dem Prinzip der Lateralen Ladungskompensation Vorgefertigten Grundmaterialwafer
EP1210735
Art A1
5. Juni 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1210735
- Aktenzeichen
- EP00960616
- Anmeldetag
- 6. September 2000
- Veröffentlichung
- 5. Juni 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Bickel, Michael
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