Verfahren zur Herstellung eines zweifach vertieften Transistors
EP1210736
Art B1
29. Dezember 2010
Anmelder: RAYTHEON COMPANY, Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1210736
- Aktenzeichen
- EP00952580
- Anmeldetag
- 7. August 2000
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Erteilung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- RAYTHEON COMPANY
Raytheon Company - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Jackson, David Spence
London, Großbritannien
226
Patente gesamt
25
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9
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