Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement unter Benutzung eines Dummy-Gates

EP1211716 Art B1 13. Februar 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1211716
Aktenzeichen: EP01127063
Anmeldetag: 14. November 2001
Veröffentlichung: 13. Februar 2008
Erteilung: 13. Februar 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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