Treiber für einen externen Feldeffekttransistor mit hoher Genauigkeit und Gate-Spannungsschutz
EP1211804
Art B1
28. März 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1211804
- Aktenzeichen
- EP00126640
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 28. März 2007
- Erteilung
- 28. März 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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