Methode und Verfahren zur Herstellung Dünner Polykrsitalliner Halbleiterfilmemit Einheitlich Grossen Kristalliten und Korngrenzenveränderung durch Sequentielle Laterale Kristallisation
EP1212784
Art A1
12. Juni 2002
Anmelder: The Trustees of Columbia University in the City of New York, THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1212784
- Aktenzeichen
- EP00964925
- Anmeldetag
- 29. August 2000
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- The Trustees of Columbia University in the City of New York
THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Columbia University
Private Forschungsuniversität in New York City, gegründet 1754, mit umfangreicher Patentaktivität in Medizin, Biotechnologie und Ingenieurwissenschaften.
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