Methode und Struktur für die Verarbeitung von Halbleitergehäusen mit Hoher Ausbeute

EP1212791 Art A1 12. Juni 2002

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1212791
Aktenzeichen: EP00950840
Anmeldetag: 28. Juli 2000
Veröffentlichung: 12. Juni 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/44H01L21/48H01L21/50H01L23/12H01L23/053

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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