DRAM Speicherzelle mit Grabenkondensator und vertikalem Transistor

EP1213761 Art B1 30. August 2006

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1213761
Aktenzeichen
EP01127355
Anmeldetag
21. November 2001
Veröffentlichung
30. August 2006
Erteilung
30. August 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8242H01L29/786H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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