Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren
EP1213766
Art B1
19. Januar 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1213766
- Aktenzeichen
- EP01127071
- Anmeldetag
- 14. November 2001
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2011
- Erteilung
- 19. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
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Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
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