Halbleiteranordnung aus Nitridverbindung für FET, HEMT oder HBT

EP1213767 Art A3 14. April 2004

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1213767
Aktenzeichen
EP01128995
Anmeldetag
6. Dezember 2001
Veröffentlichung
14. April 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/20H01L29/66H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing München, Deutschland
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Energie- & Antriebstechnik (Kraftmaschinen) Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff) Nachrichtentechnik & Telekommunikation
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