Anlage zur Behandlung von Halbleitern mit durch Strahlungsheizelementen Geheizten Keramischer Auskleidung

EP1214732 Art B1 30. Mai 2007

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1214732
Aktenzeichen
EP00961776
Anmeldetag
11. September 2000
Veröffentlichung
30. Mai 2007
Erteilung
30. Mai 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen