Methode zur Herstellung eines Mosfets
EP1214738
Art A1
19. Juni 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1214738
- Aktenzeichen
- EP00957193
- Anmeldetag
- 23. August 2000
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/762H01L29/78H03K19/094
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Norin, Klas
NoneStockholm
-
Mrazek, Werner
NoneUppsala