Sic-Halbleiterscheibe, Sic-Halbleiterbauelement sowie Herstellungsverfahren für eine Sic-Halbleiterscheibe

EP1215730 Art B9 1. August 2007

Anmelder: Sixon Inc., Kansai Electric Power C.C., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1215730
Aktenzeichen: EP00956966
Anmeldetag: 6. September 2000
Veröffentlichung: 1. August 2007
Erteilung: 1. August 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/16H01L29/47H01L29/78C30B29/36C30B23/00C30B23/02C30B25/00C30B25/02C30B25/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sixon Inc.
Kansai Electric Power C.C., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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